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三星推出了具有100多层的第六代V-NAND SSD

发表时间: 2019-08-19

  看起来像每一天一样 三星推出了另一款快速记忆的东西或高容量的固态硬盘; 最新的3D存储器就是第六代V-NAND固态硬盘,其中包含100多层。

  三星表示已经开始大规模生产250GB SATA固态硬盘,在单个V-NAND堆栈中包含超过100层,该公司声称这是业界第一,这得益于其第六次使用 - 一代(1xx层)256千兆位三位V-NAND技术。

  “利用三星独特的通道孔蚀刻技术,新的V-NAND将前一个9x层单层结构的单元数量增加了约40%。这是通过构建一个由136层组成的导电模具堆叠来实现的,然后从上到下垂直穿透圆柱形孔,形成均匀的3D电荷陷阱闪光(CTF)单元,“三星说。

  因此,新的SSD将提供450毫秒的写入速度和45毫秒的读取响应时间,这要归功于“速度优化的电路设计”,这显然克服了读取延迟和NAND驱动器可能面临的错误的漏洞。细胞面积增加。

  凭借这项技术,三星表示它可以将当前堆栈中的三个堆叠在一起,今日开码结果,制造出超过300层的V-NAND SSD。

  “通过将最先进的3D存储技术引入批量生产,我们能够及时推出存储器阵容,显着提高速度和功率效率,”三星电子解决方案产品和开发执行副总裁Kye Hyun Kyung解释道。

  “随着下一代V-NAND产品的开发周期加快,我们计划快速扩展我们的高速,高容量512Gb V-NAND解决方案的市场。”

  考虑到这一点,采用第六代技术的250GB V-NAND SSD将是第一代提供给硬件制造商的产品,而随着2019年的推出,三星计划推出512Gb三位V-NAND SSD和eUFS。